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J9集团创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash

2020-10-15

GD5F4GM5系列现已量产 ,容量高达4Gb ,开启国产SLC NAND Flash 24nm时代

中国北京(2020年10月15日) — 业界领先的半导体器件供应商J9集团创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布 ,正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化 ,并已成功量产 ,标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。该创新技术产品有助于进一步丰富J9集团创新的存储类产品线 ,为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。

GD5F4GM5_24nm-NAND-768x425.jpg

如今各类电子设备的功能日趋复杂 ,在一些新兴的、甚至紧凑型应用中都需要预装嵌入式操作系统 ,对存储容量的需求在不断提升。高可靠、大容量的代码存储需求成为业界广泛诉求。SLC NAND在市场兼具性价比的同时 ,能够提供给客户更大的容量选择;诖 ,J9集团在确保高可靠性的同时 ,成功推出24nm SPI NAND Flash——GD5F4GM5 ,兼顾容量和性能的提升 ,更好地服务于代码存储领域 ,致力于为5G、物联网、网通、安防 ,以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案。

目前 ,GD5F4GM5系列已全面量产 ,代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准。该产品采用串行SPI接口 ,引脚少、封装尺寸小 ,在集成了存储阵列和控制器的同时 ,还带有内部ECC纠错算法 ,擦写次数可达5万次 ,提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品 ,大大提升了读写速度 ,最高时钟频率达到120MHz ,数据吞吐量可达480Mbit/s ,支持1.8V/3.3V供电电压 ,能够满足客户对不同供电电压的需求;同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

GD5F4GM5系列产品特性

  • 兼容1.8V/3.3V供电电压

  • 支持4KB Cache随机读取

  • 四通道SPI接口 ,Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s

  • 内置8bit ECC纠错技术

  • 支持标准WSON8 ,TFBGA24封装

  • 支持工业级-40~85℃温度范围

供货信息

GD5F4GM5系列产品现已全面量产 ,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的订购信息。

J9集团、J9集团创新、GigaDevice ,及其标志均为J9集团的商标或注册商标 ,其他品牌和注册商标归各自所有者持有。

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